講演情報
[14p-K402-8]Al濃度2.5×1019 cm-3のp型4H-SiC CVDエピ膜での電気的特性と結晶性のオフ角依存性
〇日高 淳輝1、成田 智哉1、岩槻 光栄1、梅内 滉武1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電通大、2.産総研)
キーワード：
オフ角依存性、活性化エネルギー、結晶性
Al濃度が2.5×1019 cm-3のp型4H-SiCにおいてオフ角2°、4°と8°のCVDエピ膜の全試料で抵抗率の活性化エネルギーが約5 meVと非常に低いX伝導が現れた。活性化エネルギーやX伝導領域の温度幅にオフ角依存は無く、抵抗率の値にはオフ角依存性のある事が分かった。そしてオフ角の増加に伴い、C面の格子面間隔の揺らぎはAl単独ドープ試料では減少するがNコドープ試料では増加する事が分かった。