セッション詳細
[14p-K403-1~13]6.2 カーボン系薄膜
2025年3月14日(金) 13:00 〜 16:45
K403 (講義棟)
[14p-K403-1]大口径ダイヤモンド成長用3インチ径Ir/Sapphire基板の作製と
基板の微傾斜効果
〇(D)辻 政裕1、井手 裕也1、サハ ニロイ1、江口 正徳2、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロ)
[14p-K403-2]大口径(111)面ダイヤモンド自立結晶成長
〇金 聖祐1、川又 友喜1、長谷部 航平1、佐田 晃1、アン ジェフリ1、小山 浩司1、鈴木 真理子1、毎田 修2 (1.Orbray 株式会社、2.大阪大学)
[14p-K403-3]熱化学エッチングによるダイヤモンドトレンチ{111}平坦側面の形成
〇長井 雅嗣1、松本 翼2、山崎 聡2、徳田 規夫2、春山 盛善1、加藤 有香子1、吉岡 裕典1、梅沢 仁1、加藤 宙光1、小倉 政彦1、竹内 大輔1、宮本 良之1、牧野 俊晴1 (1.産総研、2.金沢大)
[14p-K403-4]DFT and Machine Learning Molecular Dynamics Study of Controlled Graphene Self-Assembly on the Diamond (111) Surface
〇(PC)JohnIsaac Guinto Enriquez1, Takahiro Yamasaki2, Masato Michiuchi2, Harry Handoko Halim1, Kouji Inagaki1, Masaaki Geshi1, Ikutaro Hamada1, Yoshitada Morikawa1 (1.Osaka Univ., 2.Sumitomo Elec. Ind.)
[14p-K403-5]ダイヤモンドの化学気相堆積環境における気相中の固体粒子のレーザー光散乱による検出
〇新田 魁洲1、嶋岡 毅紘1、山田 英明1、坪内 信輝1、茶谷原 昭義1、杢野 由明1 (1.産総研)
[14p-K403-6]狭ギャップマイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド膜の形成
〇(M1)樋口 瑠洸1、酒井 佑真1、垣内 弘章1、大参 宏昌1 (1.大阪大工)
[14p-K403-7]13.56MHz誘導結合プラズマCVDによる超微粒ダイヤモンドの成長
〇安藤 瞭汰1、長町 学1、辰巳 夏生1 (1.住友電工)
[14p-K403-8]HF-CVDによる熱窒化基板へのナノ結晶ダイヤモンド膜形成
〇塩川 蒼1、宮原 由紀1、滝川 浩史1、服部 貴大2、杉田 博昭2、儀間 弘樹2 (1.豊橋技科大、2.オーエスジー(株))
[14p-K403-9][第57回講演奨励賞受賞記念講演] 成長・ドーピング・表面・界面制御を駆使したステップフリーダイヤモンドMOSFETの作製
〇小林 和樹1、佐藤 解1、加藤 宙光2、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、松本 翼1、市川 公善1、林 寛1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、Christoph Nebel1,3、德田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)
[14p-K403-10]SiO2/Al2O3多層膜を用いたダイヤモンドMOS構造の形成(2)
中川 龍一1、斎藤 泰地1、松本 翼1、徳田 規夫1、〇川江 健1 (1.金沢大自然研)
[14p-K403-11]ダイヤモンド薄膜への7Beのイオン注入
〇三宅 泰斗1、奥野 広樹1、渡邊 幸志1,2 (1.理研仁科センター、2.産総研)
[14p-K403-12]ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗層形成
〇(M1)今村 海哉1、関 裕平1、星野 靖1 (1.神奈川大理)
[14p-K403-13]Bイオン注入による高圧高温合成Ib型ダイヤモンドの電気伝導制御
〇関 裕平1、今村 海哉1、星野 靖1 (1.神奈川大理)