2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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16:15 〜 16:30
[14p-K403-12]
ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗層形成
〇(M1)今村 海哉
1
、関 裕平
1
、星野 靖
1
(1.神奈川大理)
キーワード:
イオン注入、Hall効果、ダイヤモンド半導体
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