講演情報
[14p-K403-9][第57回講演奨励賞受賞記念講演] 成長・ドーピング・表面・界面制御を駆使したステップフリーダイヤモンドMOSFETの作製
〇小林 和樹1、佐藤 解1、加藤 宙光2、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、松本 翼1、市川 公善1、林 寛1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、Christoph Nebel1,3、德田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)
キーワード：
ダイヤモンド、反転層チャネルMOSFET、界面
我々の研究グループでは、2016年に反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功した。しかし、作製されたMOSFETの電界効果移動度は最大で20 cm2/Vsと理論値の3,000 cm2/Vsよりも低い。低移動度の原因は、Al2O3/ダイヤモンド界面で発生する1013 cm−2eV−1の高い界面準位密度である。準位は主にステップ端に形成されるとされているため、本研究では、独自プロセスを用いた、原子的平坦Al2O3/ダイヤモンド(111)界面を有するp型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを作製した。