[14p-K503-1~17] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

13:00 〜 13:30

[14p-K503-1] [第2回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 原子層堆積法を用いた薄膜・界面設計によるHfO₂系強誘電体材料の結晶構造制御

〇女屋 崇¹ (1.東大院新領域)

キーワード：

HfO2系強誘電体薄膜、原子層堆積法