2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.3】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[14p-K503-1~17]CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

2025年3月14日(金) 13:00 〜 17:45
K503 (講義棟)
13:00 〜 13:30

[14p-K503-1][第2回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 原子層堆積法を用いた薄膜・界面設計によるHfO2系強誘電体材料の結晶構造制御

〇女屋 崇1 (1.東大院新領域)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー英語発表

[14p-K503-2]Impurity reduction in atomic-layer-deposited Hf0.5Zr0.5O2 thin films using H2O2 as an oxidant to enhance the crystallization at low temperature

〇Haoming Che1, Takashi Onaya1, Masaki Ishii2, Hiroshi Taka2, Koji Kita1 (1.GSFS, The Univ. of Tokyo, 2.Taiyo Nippon Sanso)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[14p-K503-3]HfO2/ZrO2ナノラミネート薄膜の結晶化過程におけるZrO2最表面層の重要な役割

〇高久 理名1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[14p-K503-4]希土類元素ドープエピタキシャルHfO2薄膜の結晶構造と強誘電特性評価

〇(M1)土屋 裕太郎1、下野園 航平1、岡本 一輝1、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
14:15 〜 14:30

[14p-K503-5]共添加HfO2系強誘電体YxNbxHf1-2xO2の強誘電特性

〇浅沼 周太郎1、右田 真司1、太田 裕之1、森田 行則1、畑山 祥吾1 (1.産総研　SFRC)
14:30 〜 14:45

[14p-K503-6]ミリ秒単位の超高速冷却が強誘電体Al:HfO2 薄膜の電気特性に与える影響

〇谷 勇佑1、三船 智哉2、谷村 英昭1,2、植野 雄守1、藤沢 浩訓2、中嶋 誠二2、大坂 藍2、加藤 慎一1、三河 巧1 (1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ、2.兵庫県立大学)
14:45 〜 15:00

[14p-K503-7]酸化物/Y-HZO積層構造の溶液プロセスによる作製と評価

Wang Yuzhong1、Choi Junewoo1、〇徳光 永輔1 (1.北陸先端大)
15:00 〜 15:15

[14p-K503-8]強誘電性Al:HfO2薄膜の積層構造が電気特性に与える影響

〇谷村 英昭1,2、三船 智哉1、植野 雄守2、谷 勇佑2、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大、2.SCREEN)
15:30 〜 15:45

[14p-K503-9]強誘電性HfO2におけるECの膜厚依存性の特徴 (iii)
- orthorhombic相とrhombohedral相の比較 -

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
15:45 〜 16:00

[14p-K503-10]Landau-Khalatnikov方程式における時間スケールについて

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[14p-K503-11]アモルファスHfO2の強誘電体特性の古典分子動力学シミュレーション

〇(B)大場 淳平1、平井 健太郎1、内藤 真慈1、西村 祐亮1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[14p-K503-12]レーザー励起光電子顕微鏡を用いたInZnOx/Hf0.5Zr0.5O2/TiN強誘電体キャパシタのマルチリークパスの分布の解明

〇糸矢 祐喜1、藤原 弘和3,4、Cédric Bareille6、辛 埴5、谷内 敏之3,4、小林 正治1,2 (1.東大生研、2.東大d.lab、3.東大新領域、4.東大MIRC、5.東大特別教授室、6.東大物性研)
16:30 〜 16:45

[14p-K503-13]Poole Frenkel解析を用いたHf0.5Zr0.5O2強誘電薄膜のトラップ準位評価

〇黒尾 紗文1、渡辺 洋輔1、赤江 尚徳1、原田 和宏1、廣瀬 義朗1、徳光 永輔2 (1.KE、2.北陸先端大)
16:45 〜 17:00

[14p-K503-14]強誘電体HfxZr1-xO2 MFISキャパシタの電界印加による誘電率低下機構の考察

〇松川 浩之1、蔡 作成1、劉 振泓1、竹中 充1、高木 信一1、トープラサートポン カシディット1 (1.東京大学)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[14p-K503-15]Hf0.5Zr0.5O2薄膜強誘電体キャパシタにおけるwake-up特性の電界・温度依存性と物理機構の考察

〇伊藤 広恭1、竹中 充1、高木 信一1、トープラサートポン カシディット1 (1.東大院工)
17:15 〜 17:30

[14p-K503-16]物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体薄膜の出力分類特性の評価

〇井上 颯太1、請関 優1、藤村 紀文1、Toprasertpong Kasidit2、高木 信一2、吉村 武1 (1.阪公大工、2.東大工)
17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[14p-K503-17]強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係Ⅱ

〇請関 優1、井上 颯太1、山田 洋人1、藤村 紀文1、横松 得滋2、神田 健介2、前中 一介2、Toprasertpong Kasidit3、高木 信一3、吉村 武1 (1.阪公大工、2.兵庫県大工、3.東大工)
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