講演情報
[14p-K503-12]レーザー励起光電子顕微鏡を用いたInZnOx/Hf0.5Zr0.5O2/TiN強誘電体キャパシタのマルチリークパスの分布の解明
〇糸矢 祐喜1、藤原 弘和3,4、Cédric Bareille6、辛 埴5、谷内 敏之3,4、小林 正治1,2 (1.東大生研、2.東大d.lab、3.東大新領域、4.東大MIRC、5.東大特別教授室、6.東大物性研)
キーワード：
強誘電体材料、強誘電体キャパシタ、絶縁破壊
我々は、HfO2系強誘電体の絶縁破壊を説明するモデルの解明に向け、高分解能かつ広視野で観察可能で、非破壊でのリークパス形成箇所を可視化可能なレーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)を用いてInZnOx(2:1)/HfZrOx(1:1)/TiNの層構造の強誘電体キャパシタのリークパス形成箇所分布のin-situ観察を行った。この実験から、スポット箇所の面内分布やストレス印加量とスポット数の関係を解析し、構造によりリークパス形成の進行モデルが構造により異なることを示した。