講演情報
[14p-K503-13]Poole Frenkel解析を用いたHf0.5Zr0.5O2強誘電薄膜のトラップ準位評価
〇黒尾 紗文1、渡辺 洋輔1、赤江 尚徳1、原田 和宏1、廣瀬 義朗1、徳光 永輔2 (1.KE、2.北陸先端大)
キーワード：
半導体、強誘電体、酸素欠陥
本研究は、HZO強誘電薄膜の特性を制御する要因の一つとされている酸素欠損Voについて、その定量評価手法を開拓することを目的としている。XPSなどの物理解析には課題が残ることから、電気特性を用いた評価手法を探索するため、HZO薄膜のリーク電流をPoole Frenkelモデルに従って解析し、薄膜に含まれるトラップ準位を評価した。得られたトラップ準位がVoが形成する準位と同等の値であることを確認した。