講演情報
[14p-K503-15]Hf0.5Zr0.5O2薄膜強誘電体キャパシタにおけるwake-up特性の電界・温度依存性と物理機構の考察
〇伊藤 広恭1、竹中 充1、高木 信一1、トープラサートポン カシディット1 (1.東大院工)
キーワード：
強誘電体、wake-up
強誘電メモリ材料として注目されているHfO2系強誘電体は、主に6nm以下の薄膜において、強誘電性を発現させるには電界サイクリングが必要になるというwake-up効果が課題となっている。本研究ではHf0.5Zr0.5O2 (HZO)強誘電キャパシタにおけるwake-up特性の電界・温度依存性を測定し、物理機構の考察を行った。