講演情報
[14p-K503-4]希土類元素ドープエピタキシャルHfO2薄膜の結晶構造と強誘電特性評価
〇(M1)土屋 裕太郎1、下野園 航平1、岡本 一輝1、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
キーワード：
強誘電体、HfO2、PLD法
HfO2基強誘電体薄膜は、様々な希土類元素を添加した系において報告例があるが、多くの研究は製法や結晶配向が統一されておらず、系統的な研究は少ない。本研究では、種々の希土類元素をドープした(111)配向エピタキシャルHfO2薄膜を作製し、結晶構造と電気特性の評価を行うことで、希土類元素のドープがHfO2薄膜の強誘電特性に与える影響を調査した。