[14p-K503-1~17] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

14:30 〜 14:45

[14p-K503-6] ミリ秒単位の超高速冷却が強誘電体Al:HfO₂ 薄膜の電気特性に与える影響

〇谷 勇佑¹、三船 智哉²、谷村 英昭^1,2、植野 雄守¹、藤沢 浩訓²、中嶋 誠二²、大坂 藍²、加藤 慎一¹、三河 巧¹ (1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ、2.兵庫県立大学)

キーワード：

強誘電体、フラッシュランプアニール