[14p-K503-1~17] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

14:45 〜 15:00

[14p-K503-7] 酸化物/Y-HZO積層構造の溶液プロセスによる作製と評価

Wang Yuzhong¹、Choi Junewoo¹、〇徳光 永輔¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

強誘電体薄膜、HZO、溶液プロセス

CeOx、Y₂O₃, La₂O₃上部層（8nm）/YドープHf-Zr-O（Y-HZO）（25nm）積層構造を溶液プロセスで形成し、その電気的特性を評価した。CeO_x/Y-HZO積層構造では良好な強誘電性が得られたのに対し、Y₂O₃/Y-HZO、La₂O₃/Y-HZO積層構造では常誘電性であった。 Y₂O₃およびLa₂O₃上部層がY-HZOからの酸素脱離を抑制したためと考えられる。