[14p-K503-1~17] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

15:30 〜 15:45

[14p-K503-9] 強誘電性HfO₂におけるECの膜厚依存性の特徴 (iii)
- orthorhombic相とrhombohedral相の比較 -

〇鳥海 明¹、右田 真司² (1.自由業、2.産総研)

キーワード：

強誘電体HfO2、抗電界、膜厚依存性

強誘電性HfO₂におけるo-相とr-相の膜厚依存性の違いについてEcとXRD回折結果との関係から議論する