講演情報
[14p-K504-4]コア層ドーピング濃度を考慮したGaN系THz-QCLの光利得マッピング解析
〇(B)矢部 航輝1,2、高橋 瞳瑠1,2、金子 瑛1,2、藤川 紗千恵2,1、矢口 裕之2、クリシャン クマール1、シャシャンク ミシュラ1、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大)
キーワード：
量子カスケードレーザ、窒化物半導体、テラヘルツ
GaN/AlGaN系THz-QCL の注入層高濃度ドーピングによるバンドベンディングの補正をすることで，更なる光利得の向上を目指した解析を行い，光利得マッピングを作成した．解析の結果，注入層への高濃度ドーピングによるバンドベンディングの影響は各膜厚の最適化により低減し，最適ドーピング濃度が高濃度側にシフトした．これにより，光利得が向上し，室温以上の広い領域で発振の可能性があると示された．