[14p-K504-1~13] 3.8 テラヘルツ全般

15:00 〜 15:15

[14p-K504-8] AlGaAs/GaAsヘテロ構造を用いたMEMSボロメータにおける漏れ抵抗に関する研究

〇(M2)早見 智乃介¹、高橋 和宏²、長井 奈緒美¹、黒山 和幸¹、平川 一彦¹ (1.東京大学、2.浜松ホトニクス)

キーワード：

メムス、テラヘルツ検出

MEMS技術を用いて作製される機械的両持ち梁共振器構造は、共振周波数のシフトを信号として用いる新しい原理のテラヘルツ（THz）検出器であるが、梁の駆動側に交流電圧を印加すると、他端の検出側にもわずかに（約1 %程度）駆動電圧が漏れて現れる現象が観測された。この駆動側の電圧が検出側に漏れる原因を探るとともに、その抑制に関する検討を行ったので報告する。