[14p-P02-1~20] 6.4 薄膜新材料

[14p-P02-1] ミストCVD法によるCu薄膜の作製とその特性

〇(M1)岡田 達樹¹、大橋 亮介¹、安岡 龍哉、川原村 敏幸^1,2、Htet Su WAI^1,2 (1.高知工科大学、2.総研)

キーワード：

銅

金属薄膜は主に電子機器の配線に利用され、スパッタリングや蒸着などの真空装置を用いる手法で形成される。一方、本研究室で開発しているミストCVD法は、大気圧下でAg、Cu、Ni、Pdなどの金属薄膜を作製可能である。しかし、ミストCVD法の金属薄膜形成メカニズムには未解明な点があります。そこで本実験では、Cuを対象に条件を変えながら、その薄膜特性を調査することとした。