[14p-P02-1~20] 6.4 薄膜新材料

[14p-P02-18] FeドープITOエピタキシャル成長膜の電気・光学・磁気特性のFeドープ量依存性

〇角 卓実¹、北川 彩貴^1,2,3、栗原 悠花¹、中村 敏浩^1,2 (1.京大院人環、2.京大ILAS、3.日本学術振興会(DC))

キーワード：

透明導電膜、希薄磁性半導体、エピタキシャル成長膜

ドープ量が異なるFeドープITOエピタキシャル成長膜を作製し、電気・光学・磁気特性のFeドープ量依存性を評価した。その結果、Feドープ量の増加に伴い、電気伝導率は減少し、光学的バンドギャップも減少することがわかった。また、Fe1原子あたりの磁化の減少が確認された。これらの結果から、Feドープ量は薄膜の電気・光学・磁気特性のいずれにも影響を与える重要なパラメーターであることが明らかになった。