[14p-P03-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-1] 量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMTの特性予測

〇児玉 直也¹、戸邉 康太¹、上田 晟生¹、田中 聖真¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

高電子移動度トランジスタ、モンテカルロシミュレーション、InAsSb