講演情報
[14p-P03-14]β-Ga₂O₃（010）Fin デバイスの電気的特性のチャネル幅依存性
〇中山 智哉1、奥村 宏典1 (1.筑波大数理)
キーワード：
半導体、酸化ガリウム、FinFET
酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)は安価で高性能なパワーデバイス材料として注目されており、特にn型層のみで構成可能なFinFETが有望視されている。本研究では、様々なチャネル幅（0.8～1.9 μm）におけるゲート電極取り付け前のβ-Ga₂O₃ Finデバイスの電気的特性を評価した。全てで数mAのドレイン電流で飽和し、オン抵抗は5.9×10³Ωであった。ドレイン電流密度-電圧特性の差異は、プロセス誤差によるチャネル長の違いとシート抵抗の影響によるものであると考察した。