[14p-P03-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-16] HE-HAXPESによるMetal/SiC及び絶縁膜/SiC界面の非破壊電子状態分析

〇安野 聡¹、西原 達平¹、Vuong Van Cuong²、黒木 伸一郎² (1.高輝度光科学研究センター、2.広島大学)

キーワード：

光電子分光法、硬X線光電子分光法、SiC