講演情報
[14p-P03-3]GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性のピークバレー比の理論解析
〇永瀬 成範1 (1.産総研)
キーワード：
窒化物半導体、共鳴トンネルダイオード、テラヘルツ
GaN系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）を用いたTHz波光源や不揮発性メモリの研究が行われている。特に、近年のGaN系材料の結晶成長技術の進展に伴い、GaN系RTDにおいて、明瞭な微分負性抵抗が実現されている。しかし、GaAs系RTDと比べると、ピークバレー比（PVR）は低い。本発表では、電子の位相緩和を考慮した理論解析をもとに、GaN系RTDによるPVRの最大値について議論する。