講演情報
[14p-P03-6]コンタクトレス光電気化学エッチングを用いたリセスゲート型AlGaN/GaN HEMTの作製と電気的特性
〇塩澤 直生1、沖 勇吾1、勝又 十勝1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
キーワード:
AlGaN/GaN HEMT
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMTs)の性能向上を目指し、コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いてゲートリセス加工を施した。実験では、ゲート直下のAlGaN層を加工することで、しきい値電圧(Vth)の制御性が向上し、相互コンダクタンス(gm)が増加したことを示した。これにより、トランジスタのゲート制御性の向上が確認された。