[14p-P03-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-7] n-GaNのICP-RIE加工面に対する低損傷PECエッチングとその電気化学的評価

〇嶋崎 喬大¹、髙橋 円空¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

窒化物半導体、電気化学的評価、電気化学エッチング