[14p-P03-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-8] 窒化物半導体集積回路に向けたエンハンスメント型絶縁ゲートトランジスタの作製と評価

〇赤松 龍弥¹、森 琢馬¹、鹿田 颯吾¹、古川 雅一²、若原 昭浩¹、岡田 浩¹ (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)

キーワード：

窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、エンハンスメント型HEMT