[14p-P05-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-P05-4] p-AlGaN/n-ZnOトンネル接合層を有するAlGaN LEDの作製と評価

〇(M2)小島 苑珠¹、浮田 駿¹、田尻 武義¹、内田 和男¹ (1.電通大)

キーワード：

トンネル接合、酸化亜鉛、窒化物半導体

AlGaN LEDにおけるp型コンタクト層の電気特性改善に向けた手法の一つとして、p型層の上に薄いn型層を成膜し、トンネル接合を形成することによる正孔注入の促進が検討されている。本研究では、GaNと同じ結晶構造を持ち、かつ高濃度ドーピングが可能なZnOに着目し、p型コンタクト層にp-AlGaN/n-ZnOトンネル接合を有したAlGaN LEDを作製して、電気的特性の評価を行ったので報告する。