講演情報
[14p-P05-6]THz-TDSEによるAlGaN/GaN-HEMTの非接触・非破壊電気特性測定の検討
〇藤井 高志1,2、山田 大進1、岩本 俊志2、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン)
キーワード：
テラヘルツ、HEMT、窒化ガリウム
我々はTHz-TDSEを用いて半導体エピタキシャル膜の電気特性の非接触・非破壊測定手法を開発している。しかしながら、AlGaN/GaN-HEMTはAlGaN層とGaN層の界面に2次元電子ガスが存在しており、従来のFresnel Modelではこの2次元電子ガスの取り扱いが難点であった。そこで境界条件に界面電流の存在を加えたTHz-Fresnel Modelが提案されている。今回はAlGaN/GaN-HEMTの層構造モデルとの整合性がよいTHz-Fresnel Modelを採用してこのAlGaN/GaN-HEMTの電気特性について検討を行った。