講演情報
[14p-P06-10]Ag2S系原子スイッチを用いたニューロモルフィック特性解析
〇島崎 直希1、宮下 裕乃介1、神田 哲志1、柳澤 圭一2、森本 崇宏3、根岸 良太1,2 (1.東洋大学院理工、2.東洋大 BNC、3.産総研)
キーワード：
ニューロモルフィック
ニューロモルフィック特性を示すAg2S系原子スイッチ構造が物理リザバー層として動作することは知られているが、明確な設計指針は不明瞭である。そこで本研究では銀ナノワイヤーの密度制御によるノード数の増減および、絶縁性薄膜材料である酸化グラフェン(GO)によりスイッチング特性の揮発性に変調を行うことで、リザバー演算に求められる非線形性および短期記憶の背景にある物理的現象との相関について検討を行った。