講演情報
[14p-P08-22]ハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物単結晶の作製と物性評価
〇(M1C)初見 孝稀1,2、緒方 啓典1,2,3 (1.法政大院理工研、2.法政大生命科学、3.法政大ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉ研)
キーワード：
半導体、光物性、ペロブスカイト
ハロゲン化Pbペロブスカイト化合物は、高いキャリア移動度、長いキャリア拡散長、高い欠陥耐性をもつ両極性半導体である。しかし、同化合物は毒性の高いPbを含むため、新しい鉛フリーハロゲン化金属ペロブスカイト化合物半導体材料の開発、応用に向けた研究が行われている。
本研究では、ハロゲン化Geペロブスカイト化合物半導体の電子物性を実験的に解明するため、MAGeI3単結晶を合成し、その電子物性評価を行った。
本研究では、ハロゲン化Geペロブスカイト化合物半導体の電子物性を実験的に解明するため、MAGeI3単結晶を合成し、その電子物性評価を行った。