セッション詳細
[14p-P10-1~25]次世代半導体創生に向けた研究・人財育成活動シンポジウム
2025年3月14日(金) 16:00 〜 18:00
P10 (森戸記念体育館)
[14p-P10-1]埋め込み型フォトダイオードを有するSiCアクティブピクセルセンサへの4MGyガンマ線照射効果
〇(M1)谷川 宗磨1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、児島 一聡3、田中 保宣3、黒木 伸一郎1 (1.広島大 RISE、2.量研、3.産総研)
[14p-P10-2]電位検出型 CMOS においセンサの作製と検出特性評価
〇代継 海斗1、加古 香里1、稲田 尚子1、崔 容俊1、高橋 一浩1、澤田 和明1、野田 俊彦1 (1.豊橋技科大)
[14p-P10-3]てんかん発作予兆計測に向けた脳深部刺入型マルチモーダルセンサの設計
〇(M2)中村 優斗1、木村 安行1、土井 英生1、堀尾 智子1、崔 容俊1、高橋 一浩1、野田 俊彦1、澤田 和明1 (1.豊橋技科大)
[14p-P10-4]Impact of the Statistical Properties of Random Telegraph Noises Generated by Stochastic Magnetic Tunnel Junctions on Probabilistic Computing Performance
〇金子 遥南1,2、金井 駿1,2,3,4,5,6,7、大野 英男5,8、深見 俊輔1,2,5,6,8,9 (1.東北大通研、2.東北大工学研究科、3.JSTさきがけ、4.東北大DEFS、5.東北大CSIS、6.東北大WPI-AIMR、7.QST、8.東北大CIES、9.稲盛科学研究機構)
[14p-P10-5]Tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with a metastable cubic GaN barrier
〇Hyeokjin Kwon1,2, Kenya Suzuki1,2, Kumar Deepak2, Masafumi Tsujikawa3, Tufan Roy4, Masafumi Shirai3,4, Shigemi Mizukami2,4 (1.Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, 3.RIEC, 4.CSIS)
[14p-P10-6]Pd/Co2MnGa垂直磁化膜における磁壁に作用する電流誘起有効磁場の面内磁場による変調
〇(DC)小山 貴也1、西岡 優輝1、植村 哲也1、山ノ内 路彦1 (1.北大情報)
[14p-P10-7]Strain induced reversible sign change of the anomalous Hall effect in transition metal multilayers
〇Toshiaki Morita1, Tomohiro Koyama1,2,3,4, Daichi Chiba1,2,3,5 (1.SANKEN, Osaka Univ., 2.CSRN, Osaka Univ., 3.OTRI, Osaka Univ., 4.PRESTO, JST, 5.SRIS, Tohoku Univ.)
[14p-P10-8]サブミクロンFe-Ni-Bアモルファス微粒子の磁気特性と磁区構造に関する研究
〇(D)若林 和志1、室賀 翔1、宮崎 孝道1、神田 哲典2、遠藤 恭1 (1.東北大工、2.大島商船高等専門学校)
[14p-P10-9]Co/Ni 多層磁性細線によるレーストラックメモリの動作に関する研究
〇長谷川 博一1、黒川 雄一郎1、湯浅 裕美1 (1.九大シス情)
[14p-P10-10]交代磁性ワイル半金属における円偏光スピン光ガルバノ効果の量子化
〇(DC)吉田 拓暉1、Šmejkal Libor3、村上 修一1,2 (1.科学大理、2.広島大SKCM2、3.MPI-PKS)
[14p-P10-11]Design and Measurement of a Receiver for a Spin-wave Detection System
〇(M2)Jiaao Yu1, Yuyang Zhu1, Zhenyu Cheng1, Yuanxin Jia1, Md Shamim Sarker1, Hiroyasu Yamahara1, Munetoshi Seki1, Hitoshi Tabata1, Tetsuya Iizuka1 (1.The univ. of Tokyo)
[14p-P10-12]Research on Differential Type STT-MRAM Cell for Accelerator Based on Low-Power Digital CiM Architecture
〇Yongcheng Wang1,2, Tao Li1,3, Tetsuo Endoh1,3,2 (1.Tohoku Univ., 2.TU GP-Spin, 3.TU CIES)
[14p-P10-13]A Via-Programmable Neuron Array for Wearable AI-IoT Applications
〇Jaewon Shin1, Rei Sumikawa1, Dongzhu Li1, Mototsugu Hamada1, Atsutake Kosuge1 (1.UTokyo)
[14p-P10-14]Accelerating DNN Models with DPU: A Hardware-Software Co-Design Approach
〇JIAWEI Yu1, Atsutake Kosuge1, Hunga Amano1 (1.Kosuge Lab)
[14p-P10-15]Agile-chip platformを用いた半導体教育入門用学生実験の実践
〇(M1)霜田 龍成1、天野 英晴1、小菅 敦丈1 (1.東大工)
[14p-P10-16]Hardware Acceleration Design for Object Detector in Semiconductor Design Hackathon
〇Yuxuan Pan1, Atsutake Kosuge1, Hideharu Amano1 (1.Univ. Tokyo)
[14p-P10-17]Comparative Analysis of High-Speed Time-Interleaved Digital-to-Analog Converters
〇(M2)Yunjie Chen1, Koji Asami2, Zolboo Byambadorj1, Akio Higo1, Tetsuya Iizuka1 (1.The Univ. of Tokyo, 2.Advantest Corp.)
[14p-P10-18]FIPS205(SLH-DSA)署名生成ハードウェア向けSHA2演算の最適化
〇竹島 優太1、池田 誠1 (1.東京大学)
[14p-P10-19]ペアリング演算の安全性およびハードウェア実装コストの自動設計手法による見積もり評価
〇福田 桃子1、池田 誠1 (1.東大工)
[14p-P10-20]GAAナノシート型Siチャネルにおけるトラップ電荷誘起の電流変動
〇神岡 武文1、岡田 直也1、福田 浩一1 (1.産総研 SFRC)
[14p-P10-21]Cold wall中H2SアニールによるPVD-MoS2膜残留硫黄抑制
〇松永 尚樹1、堀 敦1、若林 整1 (1.東京科学大学)
[14p-P10-22]Fabrication of FeFET with ferroelectric AlScN film and In2O3 channel
〇JiaHong Lin1,2, TingTzu Kuo1,2, SiMeng Chen1, Hirofumi Nishida1, An Li1, Takuya Hoshii1, Hitoshi Wakabayashi1, TingChang Chang2, Kuniyuki Kakushima1 (1.Institute of Science Tokyo, 2.National Sun Yat-sen University)
[14p-P10-23]ルテニウムの Area Selective Atomic Layer Deposition に関する研究
〇奥川 昭悟1、ラーマン ガギ タウヒドゥル1、横川 凌1,2、雨宮 嘉照2、寺本 章伸1,2,3 (1.広大先進理工、2.広大 RISE、3.広大 HiSOR)
[14p-P10-24]高周波パワーアンプ向け3次元インダクタ素子に関する層間膜プロセスの開発
〇新江 定憲1、高山 大希1、辻 幸洋1、中田 健1 (1.住友電工)
[14p-P10-25]Die-Level 3D-IC Fabrication Technology for 3D Heterogeneous Chiplet Integration
〇(D)Jiayi Shen1, Chang Liu1, Tetsu Tanaka1,2, Takafumi Fukushima1,2 (1.Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., 2.Graduate School of Biomedical Engineering, Tohoku Univ.)