講演情報
[14p-P10-21]Cold wall中H2SアニールによるPVD-MoS2膜残留硫黄抑制
〇松永 尚樹1、堀 敦1、若林 整1 (1.東京科学大学)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、RFマグネトロンスパッタリング、気相硫黄雰囲気下アニール
本研究では、次世代半導体チャネル材料としての応用が期待されている、遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)の一つであるMoS2膜をRFマグネトロンスパッタリング法にて成膜した。その後、結晶性向上のため、硫黄粉末と比較して高い蒸気圧を持つ硫化水素(H2S)ガスを用いたCold wallアニールを行い、化学結合状態などを評価した。