講演情報
[15a-K101-10]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (16) -DOSの分析(Ⅱ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
MOS界面欠陥、Pb0とPb1の準位密度分布、相関エネルギー
本件ではMOS界面欠陥の準位密度DOSに及ぼすPb1の影響，DOSにおける2つのピーク間の関係性と相関エネルギー，および，D-like準位の深さがA-like準位のDOSに及ぼす影響について考察する．