セッション詳細
[15a-K101-1~10]13.5 デバイス/配線/集積化技術
2025年3月15日(土) 9:00 〜 12:00
K101 (講義棟)
[15a-K101-1][第46回解説論文賞受賞記念講演] 半導体量子ビットの研究動向と展望
〇小寺 哲夫1 (1.東京科学大)
[15a-K101-2]平面型シリコン量子ドットにおける電荷ノイズの電子数依存性
〇溝口 来成1、和田 陸久1、松岡 竜太郎1、柳 至2、峰 利之2、土屋 龍太2、久本 大2、水野 弘之2、太田 俊輔1、米田 淳1,3、小寺 哲夫1 (1.東京科学大、2.日立研開、3.東大)
[15a-K101-3]RF反射測定におけるIQ符号化条件の最適化
〇(B)根上 直也1、溝口 来成1、柳 至2、峰 利之2、土屋 龍太2、久本 大2、水野 弘之2、小寺 哲夫1 (1.東京科学大、2.日立研開)
[15a-K101-4]並列2重量子ドットにおける光介在トンネルの効果
〇羽田野 剛司1、久保 敏弘2、都倉 康弘3、天羽 真一4、寺岡 総一郎4、樽茶 清梧4 (1.日大工、2.津山高専、3.筑波大、4.理研)
[15a-K101-5]3次元スピン量子ビット構造のTCADによる解析
〇棚本 哲史1 (1.帝京大理工)
[15a-K101-6]Study of interface trap density in Ge quantum devices
〇(D)Chutian Wen1, Yuto Arakawa1, Ryutaro Matsuoka1, Raisei Mizokuchi1, Jun Yoneda2, Tetsuo Kodera1 (1.Institute of Science Tokyo, 2.University of Tokyo)
[15a-K101-7]MOSFET雑音の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
〇大毛利 健治1、天川 修平2、新谷 道広3、小林 和淑3 (1.デバイスラボ、2.広島大、3.京都工繊大)
[15a-K101-8]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (14) -平均的CP電流-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[15a-K101-9]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (15) -DOSの分析(I)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[15a-K101-10]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (16) -DOSの分析(Ⅱ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)