講演情報
[15a-K101-7]MOSFET雑音の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
〇大毛利 健治1、天川 修平2、新谷 道広3、小林 和淑3 (1.デバイスラボ、2.広島大、3.京都工繊大)
キーワード：
雑音、極低温CMOS、量子コンピューティング
独自開発の広帯域雑音システムを用いて室温から極低温（3K）までMOSFET特性を評価した。本システムは500MHzまでの雑音測定が可能であり、電圧条件にもよるが白色雑音を実測できる。これまで観測困難であった高い周波数までの雑音分光法解析から特徴的なトラップに分類し、そのエネルギー準位を評価した。さらに30K以下で顕在化する浅い準位（〜20meV）の興味深い挙動について報告する。