講演情報
[15a-K207-4]TEM像に対するパーシステントホモロジーの適用による単層グラフェン欠陥構造の定量的解析
〇(D)江口 琉斗1,2、橋本 綾子1,2 (1.物材研、2.筑波大)
キーワード：
単層グラフェン、パーシステントホモロジー、透過型電子顕微鏡
単層グラフェンにはStone-Wales欠陥等の様々な格子欠陥が存在し、電子線照射により欠陥が導入されることが知られている。本研究では、単層グラフェンのTEM像に対してパーシステントホモロジー(PH)を適用することで、電子線量と欠陥構造の定量解析を行った。その結果、炭素原子の環の歪度の定量化とN員環のN数の抽出を行うことができた。また、電子線照射によって、環の歪度は大きくなり、6員環以外の環の個数は増加することが分かった。