セッション詳細

[15a-K301-1~11]17.3 層状物質

2025年3月15日(土) 9:00 〜 12:00
K301 (講義棟)

[15a-K301-1]RFマグネトロンスパッタリング法による MoS2薄膜の結晶性と熱伝導率の関係

〇北澤 辰也1、稲葉 雄大1、山下 俊介1、今井 慎也2、黒原 啓太2、辰巳 哲也2、若林 整2、冨谷 茂隆3,1,2 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社、2.東京科学大、3.奈良先端大)

[15a-K301-2]In-situ硫黄蒸着によるMoS2の電子物性の変調

〇吉田 巧1、濱本 英幹1、石黒 康志2、高井 和之1 (1.法政大理工、2.防衛大電気電子工)

[15a-K301-3]Contact Doping of MoS2 Monolayer by PPh3 Dopant Molecule

〇(P)Puneet Jain1, Kosuke Nagashio1, Daisuke Kiriya1 (1.University of Tokyo)

[15a-K301-4]Contact-Engineered MoS2 Memristor for Mimicking Brain-Inspired Synaptic Plasticity

〇(P)Elamaran Durgadevi1, Ryoichiro Naoi1, Masahiro Sakai1, Daisuke Kiriya1 (1.The Univ. of Tokyo)

[15a-K301-5]ワイル半金属TaIrTe4における偏光分解・周波数変調光電流計測

〇田中 絢也1、高倉 章1、西原 大志2、瀬川 泰知1、松田 一成1、宮内 雄平1 (1.京大エネ研、2.分子研)

[15a-K301-6]二硫化ニオブの挿入による層状ヒ化ゲルマニウムの接触改善

〇木本 庸涼1、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2 (1.信州大工、2.信州大 先鋭材料研)

[15a-K301-7]絶縁性ポリマー層挿入によるWSe2-FETのショットキーバリア変調

〇(M1)直井 涼一郎1、Durgadevi Elamaran1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)

[15a-K301-8]表面弾性波による単層WSe2の励起子発光特性の動的変調

〇(M1)高橋 悠太1、山本 拓海1、前澤 和来1、熊崎 基1、渡邉 紳一1、藤井 瞬1 (1.慶大理工)

[15a-K301-9]二次元モアレ超格子の偏光分解分光およびマッピング

〇(D)浦野 裕斗1,2、田母神 唯3、谷口 尚2、渡辺 賢司2、張 文金3、田村 亮2、宮田 耕充3、小澤 大知2、北浦 良1,2 (1.北大総化院、2.NIMS、3.都立大理)

[15a-K301-10]VOx/VSe2ヘテロ構造 ReRAMの動作メカニズムの検証

〇(M2)中村 優太1、麻生 亮太郎2、富田 雄人2、Lin Che-Yi3、稲田 貢1、上野 啓司4、Lin Yen-Fu3、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.九大院工、3.国立中興大学、4.埼玉大院理工)

[15a-K301-11]一次元チャネルを通るバレー流の量子化現象:再現性と普遍性の確認

〇中山 祐輔1、高橋 慶1、中村 優友1、柯 梦南1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、バード ジョナサン1,3、フェリー デイビット4、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.物材機構、3.バッファロー大、4.アリゾナ州立大)