講演情報
[15a-K301-7]絶縁性ポリマー層挿入によるWSe2-FETのショットキーバリア変調
〇(M1)直井 涼一郎1、Durgadevi Elamaran1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
キーワード：
MOSFET
金属と半導体の接合界面に形成されるショットキーバリアは、金属種に依存してバリア高さが変わると期待される。しかし、2次元半導体においては、フェルミレベルピニング(FLP)が生じることで金属に依らず一定になることが知られている。本研究では、FLP軽減を目指して電極直下に絶縁性ポリマー層を挿入し、WSe2電界効果型トランジスタのショットキーバリア変調の可能性を検証したので報告をする。