講演情報
[15a-K303-8]磁気メモリ素子の高集積化に向けた窒化物二次元マキシン材料の展開
クマル プラブハット1、三浦 良雄1,2、小谷 佳範3、住吉谷 瞭歩3、中村 哲也3,4、ガラフ シュクラ1、〇磯上 慎二1 (1.NIMS、2.京都工繊大、3.PhoSIC、4.東北大)
キーワード：
二次元物質、磁気メモリデバイス、磁気円二色性
軽元素と遷移金属から成る近年新しい二次元物質マキシンを，磁気メモリデバイスに展開するため，スパッタリング法による高品位合成，ヘテロ接合の作製を行った．マキシン相が無数にある中で最もシンプルなCr2Nをモデルとしたところ，室温成長と650℃までの相安定性が確認された．Co強磁性層とのヘテロ接合界面においてCrのスピン分極がXMCDで検出された．また従来の重金属／CoFeB接合に匹敵する面内電流密度で決定的な磁化反転も観測された．