2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)10 スピントロニクス・マグネティクス：10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[15a-K303-1~10]10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

2025年3月15日(土) 9:00 〜 11:45
K303 (講義棟)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー英語発表

[15a-K303-1]Epitaxial growth and strain control of altermagnetic CrSb thin films on GaAs (001) substrates

〇(D)Seiji Aota1, Luming Zhou1, Masaaki Tanaka1,2,3 (1.The Univ. of Tokyo, 2.CSRN, The Univ. of Tokyo, 3.NanoQuine, The Univ. of Tokyo)
9:15 〜 9:30英語発表

[15a-K303-2]Crystal Orientation Dependence of X-ray Magnetic Linear Dichroism in Altermagnetic RuO2

〇Jun Okabayashi1, Zenchao Wen2, Yoshio Miura3, Hiroaki Sukegawa2, Seiji Mitani2 (1.UTokyo, 2.NIMS, 3.Kyoto Inst. Tech.)
9:30 〜 9:45

[15a-K303-3]多孔性配位高分子を利用した四元系金属窒化物の化学組成操作と磁気特性との関係

〇中村 考志1、梅津 理恵2、石崎 学3、栗原 正人3 (1.産総研、2.東北大、3.山形大)
9:45 〜 10:00英語発表

[15a-K303-4]Exploring thickness-dependent magnetic and electrical properties of tensile-strained SrRuO3 films

〇Yuuki Wakabayashi1, Masaki Kobayashi2, Yuichi Seki2, Kohei Yamagami3, Takahito Takeda2, Takuo Ohkochi4, Yoshitaka Taniyasu1, Yoshiharu Krockenberger1, Hideki Yamamoto1 (1.NTT BRL, 2.The Univ. of Tokyo, 3.JASRI, 4.University of Hyogo)
10:00 〜 10:15英語発表

[15a-K303-5]Theoretical study of magnetic anisotropy in Co/h-BN heterostructures

〇Dian Putri Hastuti1, Yukie Kitaoka1, Hiroshi Imamura1 (1.AIST)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[15a-K303-6]Mn4−xPdxN薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価

〇(B)秋田 宗志1、安田 智裕1、雨宮 健太2、末益 崇1 (1.筑波大、2.高エネ研)
10:45 〜 11:00英語発表

[15a-K303-7]Preferential substitution site for Ag in Mn4−xAgxN epitaxial films

〇Yuki Sobukawa1, Tomohiro Yasuda1, Kaoru Toko1, Kenta Amemiya2, Takashi Suemasu1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.KEK)
11:00 〜 11:15

[15a-K303-8]磁気メモリ素子の高集積化に向けた窒化物二次元マキシン材料の展開

クマル プラブハット1、三浦 良雄1,2、小谷 佳範3、住吉谷 瞭歩3、中村 哲也3,4、ガラフ シュクラ1、〇磯上 慎二1 (1.NIMS、2.京都工繊大、3.PhoSIC、4.東北大)
11:15 〜 11:30英語発表

[15a-K303-9]Current-induced magnetization switching in SOT devices with 2D-MXene underlayer

Prabhat Kumar1, Yoshio Miura1,2, Gaurav Shukla1, 〇Shinji Isogami1 (1.NIMS, 2.KIT)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー英語発表

[15a-K303-10]Current-induced magnetization switching in SOT devices with low-Z element based underlayer

〇(P)GAURAV KUMAR SHUKLA1, PRABHAT KUMAR1, SHINJI ISOGAMI1 (1.NIMS)
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