セッション詳細
[15a-K310-1~8]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
2025年3月15日(土) 10:00 〜 12:00
K310 (講義棟)
[15a-K310-1]Dot-on-dot Geナノドットにおける多層化が歪および光学特性に及ぼす影響
〇伊藤 佑太1、横川 凌2,3,4、Wen Wei-Chen5、山本 裕司5、前田 唯葉1、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.広島大RISE、4.広島大院先進理工、5.IHP)
[15a-K310-2]メチル化ゲルマナン薄膜形成時のトポケミカルメチル化反応過程
〇中山 敦稀1、松本 一歩1、柴山 茂久1、坂下 満男1、中塚 理1,2、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研)
[15a-K310-3]Effect of Plasma in Molecular Beam Deposited Germanium-Sulfur Thin Films
〇(DC)Ahmed Mahmoud1,2, Ryo Matsumura1, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS-MANA, 2.Univ. of Tsukuba)
[15a-K310-4]The birefringent effect in laterally grown spherulite-like GeS thin films
〇Qinqiang Zhang1, Ryo Matsumura1, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)
[15a-K310-5]表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成
〇松本 泰河1、大田 晃生2、横川 凌3,4,5、黒澤 昌志1、坂下 満男1、中塚 理1、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.福岡大理、3.広大RISE、4.広大院先進理工、5.明治大MREL)
[15a-K310-6]Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成
〇奥田 太一1、大田 晃生2、横川 凌3,4,5、黒澤 昌志1、坂下 満男1、中塚 理1、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.福岡大理、3.広大RISE、4.広大院先進理工、5.明大MREL)
[15a-K310-7]Si基板上に形成した高Ge組成SiGe薄膜のクラック低減に向けた熱処理条件の検討
〇伊藤 耕平1、勝部 涼司1、今井 友貴2、宮本 聡1,2、鈴木 紹太3、南山 偉明3、ダムリン マルワン3,4、宇佐美 徳隆1,2,5 (1.名大院工、2.名大未来機構、3.東洋アルミ、4.阪大院工、5.名大未材研)
[15a-K310-8]Si結晶のメルト成長において、点欠陥フリーの結晶を得るために、空孔と格子間原子の濃度曲線の交点が０となる点（Cp＝０）の重要性
〇中嶋 一雄1、中西 正美2、Su Martin2、Hsu Chuck2 (1.東北大金研、2.GlobalWafers Co.)