講演情報

11:30 〜 11:45

[15a-K310-7]Si基板上に形成した高Ge組成SiGe薄膜のクラック低減に向けた熱処理条件の検討

〇伊藤耕平¹、勝部涼司¹、今井友貴²、宮本聡^1,2、鈴木紹太³、南山偉明³、ダムリンマルワン^3,4、宇佐美徳隆^1,2,5 (1.名大院工、2.名大未来機構、3.東洋アルミ、4.阪大院工、5.名大未材研)

SiGe、エピタキシャル成長、クラック

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