[15a-K310-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

11:30 〜 11:45

[15a-K310-7] Si基板上に形成した高Ge組成SiGe薄膜のクラック低減に向けた熱処理条件の検討

〇伊藤 耕平¹、勝部 涼司¹、今井 友貴²、宮本 聡^1,2、鈴木 紹太³、南山 偉明³、ダムリン マルワン^3,4、宇佐美 徳隆^1,2,5 (1.名大院工、2.名大未来機構、3.東洋アルミ、4.阪大院工、5.名大未材研)

キーワード：

SiGe、エピタキシャル成長、クラック