講演情報
[15a-K310-8]Si結晶のメルト成長において、点欠陥フリーの結晶を得るために、空孔と格子間原子の濃度曲線の交点が０となる点（Cp＝０）の重要性
〇中嶋 一雄1、中西 正美2、Su Martin2、Hsu Chuck2 (1.東北大金研、2.GlobalWafers Co.)
キーワード：
Si結晶成長、点欠陥フリー、臨界点
Si結晶の成長において、空孔(Cv)と格子間Si原子(Ci)の濃度曲線の交点(Cp)では、Cv = Ciを示す。CvとCiの境界を示す臨界点(Critical point)は、各温度のCpに対応しており、成長速度を一定にして、温度勾配を変数としてCp濃度を計算すると、Cp濃度が0となる点（Cp = 0）が存在することが判った。このCp = 0では、実質上Cv = Ci = 0となり、点欠陥フリーのSi結晶を成長できる。