講演情報
[15a-K401-3]THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価(V)
〇藤井 高志1,2、王 丁丁1、岩本 俊志2、須山 篤志3、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン、3.イオンテクノセンター)
キーワード：
テラヘルツ、イオン注入、窒化ガリウム
我々は、GaN基板へのMgイオン注入後にAlN保護膜を形成した条件で活性化アニールをおこないp型導電層の実現する技術の確立をめざしている。このｐ型導電層の電気特性測定には非接触・非破壊でAlN保護膜剥離が不要なTHz-TDSEを適用している。これまでは注入層を均一膜として解析していたが、注入層の下部に電気伝導層の存在を仮定して解析を行った。その結果下部層の存在を考慮する必要のあることが分かった。