2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-K401-1~8]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年3月15日(土) 9:00 〜 11:30
K401 (講義棟)
9:00 〜 9:15

[15a-K401-1]スパッタ法によるAlGaN/GaN HEMTへの縮退n+-GaN(d-GaN)オーミックコンタクト形成プロセスの検討

〇藤澤 海都1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[15a-K401-2]n++Al-rich AlGaNオーミックコンタクトを有するスパッタマルチチャネルAl-rich AlGaNナノワイヤトランジスタの開発

〇小坂 鷹生1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
9:30 〜 9:45

[15a-K401-3]THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価(V)

〇藤井 高志1,2、王 丁丁1、岩本 俊志2、須山 篤志3、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン、3.イオンテクノセンター)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[15a-K401-4]2 MV/cmの高い絶縁破壊電界を有するAlN基板上シュードモルフィックAlN/GaN/AlN HEMTのオン抵抗低減

〇李 太起1、吉川 陽1,3、杉山 聖1、新井 学3、安藤 裕二2,3、須田 淳2,3、天野 浩2,3 (1.旭化成、2.名大院工、3.名大IMaSS)
10:15 〜 10:45

[15a-K401-5][分科内招待講演] N極性面AlNの結晶成長とGaN/AlN HEMTへの応用

〇岡田 成仁1、ヒヤマ アイナ1、藤井 開1、木本 大星1、仁ノ木 亮祐1、山中 郁哉1、倉井 聡1、山田 陽一1 (1.山口大院創成)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[15a-K401-6]N極性面GaN HEMTデバイスの性能に及ぼすアニールの影響

〇(M1C)仁ノ木 亮祐1、平田 靖晃1、Zazuli Aina Hiyama1、藤井 開1、木本 大星1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大創成科学)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[15a-K401-7]外部応力によるN極性GaN/Al0.9Ga0.1N/AlN HEMTの電気特性変化

〇(DC)Zazuli Hiyama Aina1、藤井 開1、仁ノ木 亮祐1、木本 大星1、山中 郁哉1、平田 靖晃1、段畠 陽樹1、林内 天1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大創成科学)
11:15 〜 11:30英語発表

[15a-K401-8]N-polar AlN-based GaN channel on sapphire for high electron mobility transistors

〇Markus Pristovsek1, Ituski Furuhashi1, Xu Yang1, Chengzhi Zhang2, Matthew D. Smith2, Martin Kuball2 (1.Nagoya Univ., 2.Univ. of Bristol)
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