講演情報
[15a-K401-5][分科内招待講演] N極性面AlNの結晶成長とGaN/AlN HEMTへの応用
〇岡田 成仁1、ヒヤマ アイナ1、藤井 開1、木本 大星1、仁ノ木 亮祐1、山中 郁哉1、倉井 聡1、山田 陽一1 (1.山口大院創成)
キーワード：
半導体、高電子移動度トランジスタ、窒化アルミニウム
N極性面GaN/ AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT)は、AlNキャップを用いずに二次元電子ガスを発生することができ、さらにAlNを下地に用いることで従来構造であるAlGaN/GaN HEMTよりも更なる大電力、高耐圧、高温動作などを実現できる可能性がある。我々の研究室では、有機金属化合物気相成長法によって作製したN極性面GaN/AlGaN/AlN HEMTの動作を実証してきた。本発表では、サファイア基板上N極性面AlNの結晶成長およびN面GaN/AlN HEMTへの応用について解説する。