2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[15a-K401-6]N極性面GaN HEMTデバイスの性能に及ぼすアニールの影響

〇(M1C)仁ノ木 亮祐1、平田 靖晃1、Zazuli Aina Hiyama1、藤井 開1、木本 大星1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大創成科学)

キーワード：

N極性面GaN

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