2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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10:45 〜 11:00
奨励賞エントリー
[15a-K401-6]
N極性面GaN HEMTデバイスの性能に及ぼすアニールの影響
〇(M1C)仁ノ木 亮祐
1
、平田 靖晃
1
、Zazuli Aina Hiyama
1
、藤井 開
1
、木本 大星
1
、倉井 聡
1
、岡田 成仁
1
、山田 陽一
1
(1.山口大創成科学)
キーワード：
N極性面GaN
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