講演情報
[15a-K403-11]ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)のショットキーバリアダイオード特性
〇清水 悠吏1,2、大島 孝仁3、衣斐 豊祐1,4、髙橋 勲1、金子 健太郎1,4 (1.Patentix株式会社、2.立命館大理工、3.物材研、4.立命館大学半導体応用研究センター)
キーワード:
ルチル型構造二酸化ゲルマニウム、超ワイドバンドギャップ、パワーデバイス
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ルチル型構造二酸化ゲルマニウム、超ワイドバンドギャップ、パワーデバイス
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