2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[15a-K403-1~12]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年3月15日(土) 9:00 〜 12:45
K403 (講義棟)
9:00 〜 9:30英語発表

[15a-K403-1][The 46th Best Review Paper Award Speech] Recent progress of Ga2O3 power technology: large-area devices, packaging and applications

〇Yuan Qin1 (1.Virginia Tech)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[15a-K403-2]プラズマ援用 MBE 成長した窒素ドープ β-Ga2O3 (010)薄膜の電気的特性

〇(B)寺村 祐輔1、中岡 蔵1、谷口 奨季1、稲嶌 仁1、上原 知起1、辻本 晃基1、本田 智子1、大槻 匠2、上村 崇史2、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
9:45 〜 10:00

[15a-K403-3]加熱注入によるGa2O3への高濃度Siドーピング (1) – 構造評価 –

〇金野 舜1、松尾 大輔1、八木 虎太郎2、竹村 真哉1、臼井 洸佑1、安東 靖典3、田中 浩平1、東脇 正高2,4 (1.日新イオン機器、2.大阪公大院工、3.日新電機、4.情通機構)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[15a-K403-4]加熱注入によるGa2O3への高濃度Siドーピング (2) ｰ 電気的特性 ｰ

〇(M1)八木 虎太郎1、松尾 大輔2、金野 舜2、竹村 真哉2、臼井 洸佑2、安東 靖典3、田中 浩平2、東脇 正高1,4 (1.大阪公大院工、2.日新イオン機器、3.日新電機、4.情通機構)
10:15 〜 10:30

[15a-K403-5]表面近傍に高濃度でFeイオン注入した基板上へのGa2O3薄膜の成長

〇大槻 匠1、東脇 正高1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)
10:45 〜 11:00

[15a-K403-6]SnO2薄膜を用いたβ-Ga2O3へのSnのレーザードーピング

〇(M1)劉 一帆1、別府 美彩1、田中 洋平2、片山 慶太1、薮田 久人1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[15a-K403-7]O3を用いた基板表面改質によるALD-Al2O3/β-Ga2O3 (001) MOS界面特性の向上

〇前川 紘億1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)
11:15 〜 11:30

[15a-K403-8]格子定数の変化から推定したβ-Ga2O3表面近傍での化学状態に対する表面処理および絶縁膜成長の影響の考察

〇片桐 浩生1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
11:30 〜 11:45

[15a-K403-9]β-Ga2O3 FinFETによるパワーFOM 1.23 GW/cm2の実証

〇脇本 大樹1、林 家弘1、江間 研太郎1、上田 悠貴1、宮本 広信1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタル)
11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[15a-K403-10]高周波Ga2O3ショットキーバリアダイオードを活用した24 GHzマイクロ波無線電力伝送用レクテナ回路設計

〇(M1)末廣 雄大1、江口 輝生1、田端 悠大1、堤 卓也1、大野 泰夫1,2、東脇 正高1,3 (1.大阪公立大院工、2.レーザーシステム、3.情通機構)
12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[15a-K403-11]ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)のショットキーバリアダイオード特性

〇清水 悠吏1,2、大島 孝仁3、衣斐 豊祐1,4、髙橋 勲1、金子 健太郎1,4 (1.Patentix株式会社、2.立命館大理工、3.物材研、4.立命館大学半導体応用研究センター)
12:15 〜 12:45英語発表

[15a-K403-12][The 46th Paper Award Speech] Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Trench Staircase Field Plate

〇Sandeep Kumar1, Hisashi Murakami2, Yoshinao Kumagai2, Masataka Higashiwaki3 (1.NICT, 2.Tokyo Univ. of Agriculture and Technology, 3.Osaka Metropolitan Univ.)
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