[15a-K403-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30

[15a-K403-5] 表面近傍に高濃度でFeイオン注入した基板上へのGa₂O₃薄膜の成長

〇大槻 匠¹、東脇 正高^1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)

キーワード：

酸化ガリウム、イオン注入

極限環境下での無線通信機器への応用に向けた横型高周波Ga₂O₃ MOSFETの開発において、ドレイン電流のリークがしばしば問題となる。これは、大気中に存在するシロキサン由来のSiが基板/エピ層界面に蓄積してリークパスを形成するためである。今回は、基板/エピ層界面に存在するSi（ドナー）の影響を打ち消すために、基板表面近傍にFe（アクセプタ）を高濃度でイオン注入した後に薄膜成長することを試みた。