講演情報
[15a-K403-6]SnO2薄膜を用いたβ-Ga2O3へのSnのレーザードーピング
〇(M1)劉 一帆1、別府 美彩1、田中 洋平2、片山 慶太1、薮田 久人1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)
キーワード：
レーザー、酸化ガリウム、ドーピング
本研究ではコンタクト抵抗の低減を目的として、KrFエキシマレーザーを用いたβ-Ga2O3へのSnドーピングを試みている。この手法の特徴は、基板の浅い領域において高濃度のドーピングが実現可能なことである。本発表では、SIMS分析やTEM観察を通じて得られた、レーザードーピング法によるβ-Ga2O3へのSnドーピングの結果を報告する。