講演情報
[15a-K403-7]O3を用いた基板表面改質によるALD-Al2O3/β-Ga2O3 (001) MOS界面特性の向上
〇前川 紘億1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)
キーワード：
Ga2O3、O3、界面
β-Ga2O3 MOSの界面特性は絶縁膜材料やアニール処理で大きく変化する。本研究では，β-Ga2O3 (001) 基板上にALD-Al2O3を成膜し，O3酸化を組み合わせることで，界面準位密度（Dit）を1×1011 cm-2eV-1程度に低減することに成功した。また，SiO2挿入膜では1000°Cの高温PDAが大幅な特性向上に寄与することを示した。